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詳細說明了基本的MR和GMR讀取結構。對于MR傳感器，恒定電流穿過鎳/鐵（NiFe）合金膜，在材料中產生磁場。軟磁合金作為傳感器接近磁盤上的磁化區域，磁化區域的新磁場結果在NiFe中的磁場方向發生變化膜，產生電壓變化。如圖所示，該電壓磁盤磁場的變化是非線性的，并且設計一個的電子系統來解釋這些磁信號將很困難。然而，通過將層磁性軟的膜放入與NiFe MR膜接近，但分開通過高物從它的方向iFe和NiFe中的磁化強度保持在45°附近電壓的變化是線性的，并且是的。標記為SAL（軟相鄰層）的結構是是當今行業大多數MR負責人的基礎。讀出放大器和數據通道設計12數據區域密度投影磁頭的演變。使用SAL MR磁頭的HDD可以使用。隨著面密度的持續增加，MR頭終會電壓變化，導致較低的信號幅度。此下降發生在5吉比特/平方英寸附近。新的傳感器設計，GMR磁頭的電壓變化很大面密度下的信號幅度過5吉比特/英寸2。在GMR傳感器中，兩張膠片分開通過薄的導電墊片可以提供對磁盤磁場的電壓變化響應。 GMR傳感器利用了電子，并遵循傳導的原理電子的自旋方向平行于電影的磁方向可以通過結構，不產生電壓變化。